RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
64
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
53
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
20.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2440
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link