RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
64
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
41
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
11.7
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2058
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link