RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
44
Около 2% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
44
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
11.7
Скорость записи, Гб/сек
7.7
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2727
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link