RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
64
Около -60% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
40
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2786
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link