RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
57
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.5
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
57
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
9.5
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2213
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link