RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
64
Около -78% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
13.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2734
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link