Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,256.8 15.0

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 64

Около -113% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

64 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,651.3 16.2
Скорость записи, Гб/сек

2,256.8 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

837 3636

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB

модули RAM