RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
64
Около -121% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3748
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link