RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
64
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
40
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2254
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link