RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
64
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
50
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
12.5
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2326
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link