RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
64
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
50
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2326
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link