RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
64
Около -83% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
19.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3331
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link