RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
64
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
9.8
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2126
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link