RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
64
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
11.2
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2266
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link