RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
64
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
53
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
10.1
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2319
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link