RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
64
Около -129% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2312
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link