RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
64
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,256.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2312
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link