RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
64
Около -191% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
3394
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link