RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
64
En -191% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
3394
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link