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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
34
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2800
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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