RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
34
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
11.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
2800
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link