RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
64
Около -106% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2762
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link