RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
17.7
Скорость записи, Гб/сек
6.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2834
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link