RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
103
Около 59% меньшая задержка
Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
103
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
13.9
Скорость записи, Гб/сек
6.0
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
1520
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link