RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
103
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
103
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
1520
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link