Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    35 left arrow 44
    Rund um 20% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 8.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 5.6
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    35 left arrow 44
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 8.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 5.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2312 left arrow 1660
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche