RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
44
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
1660
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link