Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Pontuação geral
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Pontuação geral
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    35 left arrow 44
    Por volta de 20% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.7 left arrow 8.5
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.6 left arrow 5.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    35 left arrow 44
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.7 left arrow 8.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.6 left arrow 5.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2312 left arrow 1660
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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