RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3010
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link