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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
4,937.3
16.1
写入速度,GB/s
2,061.2
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3010
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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