RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
6.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3061
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link