RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
17.7
Скорость записи, Гб/сек
6.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3017
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link