RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 42
    Около -45% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.6 left arrow 9.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.9 left arrow 6.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.7 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.0 left arrow 9.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1396 left arrow 2419

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
модули RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
модули RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
модули RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
модули RAM