RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.7
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
42
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
37
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
9.5
Скорость записи, Гб/сек
6.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
1949
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link