RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
42
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
38
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.4
Скорость записи, Гб/сек
6.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3206
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link