RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
77
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2938
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link