RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
52
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
52
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
10.0
Скорость записи, Гб/сек
6.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2260
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link