RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
6.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2781
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link