RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
21.3
Скорость записи, Гб/сек
6.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3610
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link