RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
53
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
53
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
20.0
Скорость записи, Гб/сек
6.0
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2366
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link