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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
53
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
53
读取速度,GB/s
9.7
20.0
写入速度,GB/s
6.0
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2366
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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