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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
24
读取速度,GB/s
15.4
16.9
写入速度,GB/s
9.2
8.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2821
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
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