RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против AMD R9S48G3206U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
42
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
37
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
3518
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link