RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
3460
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link