RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
52
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
52
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2182
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link