RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
52
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2182
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link