Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 42

Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.1 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.1 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 23
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 19.1
Скорость записи, Гб/сек

7.8 17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2150 3666

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

модули RAM

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB

Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Kingston 9965669-017.A00G 16GB

Kingston 9965669-017.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB

модули RAM