RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3592
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link