RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
65
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
32
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3592
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C
Segnala un bug
×
Bug description
Source link