RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
3676
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link